3099* 其他非金属矿物制品制造 高纯硫 3099032； 高纯硒（14个杂质元素分析，含量符合行业标准YS/T816-2012杂质元素要求，纯度达到99.9995%以上。） 3099033； 高纯砷（全元素分析，纯度达到99.999%以上。） 3099034； 高纯碲（全元素分析，纯度达到99.999%以上。） 3099035； 高纯碲化镉 3099036； 高纯二氧化硒（含量百分比，浓度达98%以上。） 3099037； "高纯砷化镓（砷化镓（GaAs）属于闪锌矿结构，该材料分为高阻半绝缘砷化镓材料和低阻半导体砷化镓材料。 半绝缘砷化镓材料应用微电子方面，典型6英寸半绝缘砷化镓双面抛光片：电阻率（1E7-8E8）Ω·cm,迁移率大于4000cm2/V·s，位错密度小于10000/cm2。直径150±0.5mm,厚度675±25μm，总厚度变化（TTV）≤6μm，总指示读数（TIR）≤5μm，翘曲度（Warp）≤8μm。 半导体砷化镓材料应用光电子方面，典型4英寸半导体砷化镓单面抛光片：载流子浓度（0.5-3）E18/cm3,迁移率大于1500m2/V·s，位错密度小于5000/cm2。直径100±0.5mm,厚度350±25μm，总厚度变化（TTV）≤10μm，总指示读数（TIR）≤7μm，翘曲度（Warp）≤20μm。） 3099038；" 高纯硒化镓（硒化镓（GaSe）属于六边形结构62m空间点群，属于非线性光学晶体材料，可应用太赫兹及其以上远红外转换。其特性：红外透光范围（0.6-18）μm，THz透光范围75μm以上，非线性系数最大54pm/V,光损伤阈值30MW/cm2。） 3099039；